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http://dx.doi.org/10.25673/345
Titel: | Epitaxial semiconductor nanostructure growth with templates |
Autor(en): | Zhang, Zhang |
Gutachter: | Wehrspohn, Ralf, Prof. Dr. Hongjin, Fan, Prof. Dr. Riess, Walter, Dr. |
Körperschaft: | Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg |
Erscheinungsdatum: | 2010 |
Umfang: | Online-Ressource (IV, 128 S. = 9,35 mb) |
Typ: | Hochschulschrift |
Art: | Dissertation |
Tag der Verteidigung: | 2010-12-17 |
Sprache: | Englisch |
Herausgeber: | Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt |
URN: | urn:nbn:de:gbv:3:4-4271 |
Schlagwörter: | Online-Publikation Hochschulschrift |
Zusammenfassung: | Selbst-geordnete anodische Aluminiumoxid (AAO) Membranen wurden als Masken für Wachstum und Ätzen von Halbleiter-Nanodrähten (ND) und Nanoröhrchen verwendet. Die Nanostrukturen wurden mit Ultrahochvakuum-chemischer-Gasphasenabscheidung (UHV-CVD) gewachsen. Mittels Metall-assistiertem chemischem Ätzen wurden kristallographisch orientierte geätzte Si-ND produziert. Mit isotopisch angereicherten Silanen konnten Si-Isotop-NWs (28Si, 29Si und 30Si) epitaktisch gewachsen werden. Übergangsmetall (Co) Katalysatoren wurden verwendet, um polykristalline Si-Nanoröhren in AAO-Poren herzustellen. Germanium (Ge)-ND konnten durch einen Dampf-Fest-Fest (VSS) Wachstums-Mechanismus produziert werden, und scharfe Ge/Si-Grenzflächen wurde in einer AAO-Maske erstellt. Die „Bottom-Imprint“-Methode wurde eingeführt. Das Metall für die Katalysator-Filme konnte einfach von Au nach Al geändert werden. Epitaxie von Si-ND mit Durchmesser kleiner als 10 nm wurde durch Bio-Templating mit Apo-Ferritin realisiert. Si ND wurden epitaktisch mit einem minimalen Durchmesser von 2,8 nm gewachsen. Gallium-Phosphid (GaP)-ND mit mittlerem Durchmesser 7 nm wurden epitaktisch auf Si gewachsen. Darüber hinaus wurde Silber als Katalysator für das GaP-ND Wachstum eingeführt. |
URI: | https://opendata.uni-halle.de//handle/1981185920/6969 http://dx.doi.org/10.25673/345 |
Open-Access: | Open-Access-Publikation |
Nutzungslizenz: | In Copyright |
Enthalten in den Sammlungen: | Elektrizität, Elektronik |
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