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http://dx.doi.org/10.25673/345
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.referee | Wehrspohn, Ralf, Prof. Dr. | - |
dc.contributor.referee | Hongjin, Fan, Prof. Dr. | - |
dc.contributor.referee | Riess, Walter, Dr. | - |
dc.contributor.author | Zhang, Zhang | - |
dc.date.accessioned | 2018-09-24T08:25:14Z | - |
dc.date.available | 2018-09-24T08:25:14Z | - |
dc.date.issued | 2010 | - |
dc.identifier.uri | https://opendata.uni-halle.de//handle/1981185920/6969 | - |
dc.identifier.uri | http://dx.doi.org/10.25673/345 | - |
dc.description.abstract | Selbst-geordnete anodische Aluminiumoxid (AAO) Membranen wurden als Masken für Wachstum und Ätzen von Halbleiter-Nanodrähten (ND) und Nanoröhrchen verwendet. Die Nanostrukturen wurden mit Ultrahochvakuum-chemischer-Gasphasenabscheidung (UHV-CVD) gewachsen. Mittels Metall-assistiertem chemischem Ätzen wurden kristallographisch orientierte geätzte Si-ND produziert. Mit isotopisch angereicherten Silanen konnten Si-Isotop-NWs (28Si, 29Si und 30Si) epitaktisch gewachsen werden. Übergangsmetall (Co) Katalysatoren wurden verwendet, um polykristalline Si-Nanoröhren in AAO-Poren herzustellen. Germanium (Ge)-ND konnten durch einen Dampf-Fest-Fest (VSS) Wachstums-Mechanismus produziert werden, und scharfe Ge/Si-Grenzflächen wurde in einer AAO-Maske erstellt. Die „Bottom-Imprint“-Methode wurde eingeführt. Das Metall für die Katalysator-Filme konnte einfach von Au nach Al geändert werden. Epitaxie von Si-ND mit Durchmesser kleiner als 10 nm wurde durch Bio-Templating mit Apo-Ferritin realisiert. Si ND wurden epitaktisch mit einem minimalen Durchmesser von 2,8 nm gewachsen. Gallium-Phosphid (GaP)-ND mit mittlerem Durchmesser 7 nm wurden epitaktisch auf Si gewachsen. Darüber hinaus wurde Silber als Katalysator für das GaP-ND Wachstum eingeführt. | - |
dc.description.statementofresponsibility | von Zhang Zhang | - |
dc.format.extent | Online-Ressource (IV, 128 S. = 9,35 mb) | - |
dc.language.iso | eng | - |
dc.publisher | Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt | - |
dc.rights.uri | http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/ | - |
dc.subject | Online-Publikation | - |
dc.subject | Hochschulschrift | - |
dc.subject.ddc | 537.6221 | - |
dc.subject.ddc | 530 | - |
dc.title | Epitaxial semiconductor nanostructure growth with templates | - |
dcterms.dateAccepted | 2010-12-17 | - |
dcterms.type | Hochschulschrift | - |
dc.type | PhDThesis | - |
dc.identifier.urn | urn:nbn:de:gbv:3:4-4271 | - |
local.publisher.universityOrInstitution | Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg | - |
local.subject.keywords | Masken; Epitaxie; Halbleiter; Nanodraht; Nanoröhrchen; anodisches Aluminiumoxid (AAO); chemische Dampfphasenabscheidung (CVD); Dampf-Flüssig-Fest (VLS); Dampf-Fest-Fest (VSS); Apo-Ferritin | - |
local.subject.keywords | Template; Epitaxy; Semiconductor; Nanowire; Nanotube; Anodic Aluminium Oxide (AAO); Chemical-Vapor Deposition (CVD); Vapor-Liquid-Solid (VLS); Vapor-Solid-Solid (VSS); Apo-Ferritin | eng |
local.openaccess | true | - |
dc.identifier.ppn | 642910286 | - |
local.accessrights.dnb | free | - |
Appears in Collections: | Elektrizität, Elektronik |
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File | Description | Size | Format | |
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Epitaxial semiconductor nanostructure growth with templates.pdf | 9.58 MB | Adobe PDF | View/Open |